半導体デバイス製造に用いられるリソグラフィ用フォトマスクの欠陥修正には集束イオンビーム技術が用いられる。最先端のデバイスでは，欠陥修正の最小加工寸法や精度にナノメートルレベルが要求される。

この微細化要求に対応するために，従来30年以上にわたって実績がある液体金属イオン源に代えて，微細化ブレークスルー技術として新方式の電界電離型ガスイオン源を開発した。これを欠陥修正装置に搭載し，最小加工寸法や修正精度，修正後のフォトマスクの光学特性など，最先端の性能要求を満たすことを確認した。